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集成電路布圖設(shè)計(jì)獨(dú)創(chuàng)性認(rèn)定中公認(rèn)的常規(guī)設(shè)計(jì)的判斷

發(fā)布時(shí)間：

2025-05-16

集成電路布圖設(shè)計(jì)獨(dú)創(chuàng)性認(rèn)定中公認(rèn)的常規(guī)設(shè)計(jì)的判斷

　　——（2024）最高法知行終469號(hào)

　　近期，最高人民法院知識(shí)產(chǎn)權(quán)法庭審結(jié)一起集成電路布圖設(shè)計(jì)撤銷行政糾紛上訴案件，在明確涉案布圖設(shè)計(jì)獨(dú)創(chuàng)性認(rèn)定基礎(chǔ)上，進(jìn)一步闡述了布圖設(shè)計(jì)中公認(rèn)的常規(guī)設(shè)計(jì)的判斷方法。
　　本案涉及權(quán)利人為賽某公司、登記號(hào)為BS.1250XXXX.2、名稱為“集成控制器與開關(guān)管的單芯片負(fù)極保護(hù)的鋰電池保護(hù)芯片”的集成電路布圖設(shè)計(jì)（以下簡(jiǎn)稱本布圖設(shè)計(jì)）。
　　晶某公司針對(duì)本布圖設(shè)計(jì)向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交集成電路布圖設(shè)計(jì)專有權(quán)撤銷意見書，以本布圖設(shè)計(jì)不符合《集成電路布圖設(shè)計(jì)保護(hù)條例》（以下簡(jiǎn)稱布圖設(shè)計(jì)條例）第四條的規(guī)定為由，請(qǐng)求撤銷本布圖設(shè)計(jì)專有權(quán)。國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局作出第7號(hào)集成電路布圖設(shè)計(jì)撤銷程序?qū)彶闆Q定（以下簡(jiǎn)稱被訴決定），維持本布圖設(shè)計(jì)專有權(quán)有效。晶某公司不服，向北京知識(shí)產(chǎn)權(quán)法院（以下簡(jiǎn)稱一審法院）提起訴訟，理由為：本布圖設(shè)計(jì)獨(dú)創(chuàng)點(diǎn)1-4整體屬于現(xiàn)有布圖設(shè)計(jì)，本布圖設(shè)計(jì)不具有獨(dú)創(chuàng)性。證據(jù)6與本布圖設(shè)計(jì)獨(dú)創(chuàng)點(diǎn)1-4整體相比較，區(qū)別僅在于功率PMOS管同功率NMOS管的替換。而NMOS管與PMOS管的制備工藝過程實(shí)質(zhì)是相同的，其布圖設(shè)計(jì)實(shí)質(zhì)是相同的。兩者在細(xì)節(jié)上的區(qū)別不是本布圖設(shè)計(jì)的獨(dú)創(chuàng)點(diǎn)，將PMOS管替換為NMOS管是本領(lǐng)域的常規(guī)技術(shù)手段。綜上，本布圖設(shè)計(jì)不符合布圖設(shè)計(jì)條例第四條的規(guī)定，請(qǐng)求撤銷被訴決定，并判令國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局重新作出決定。
　　一審法院認(rèn)為，在判斷獨(dú)創(chuàng)性時(shí)，應(yīng)將獨(dú)創(chuàng)點(diǎn)1-4在本布圖設(shè)計(jì)中所對(duì)應(yīng)的部分作為一個(gè)整體考慮。對(duì)于PMOS管和NMOS管而言，即使二者在結(jié)構(gòu)上相互對(duì)稱、功能上可以互換，但在集成電路布圖設(shè)計(jì)的三維配置和布圖層次中，不宜認(rèn)定二者可隨意簡(jiǎn)單替換。綜上，在案證據(jù)不足以證明獨(dú)創(chuàng)點(diǎn)1-4整體所對(duì)應(yīng)的布圖設(shè)計(jì)屬于公認(rèn)的常規(guī)設(shè)計(jì)。因此本布圖設(shè)計(jì)具備獨(dú)創(chuàng)性。一審法院據(jù)此駁回晶某公司的訴訟請(qǐng)求。
　　晶某公司不服一審判決，向最高人民法院提起上訴。

　　最高人民法院二審認(rèn)為，權(quán)利人的獨(dú)創(chuàng)性說明對(duì)于判斷布圖設(shè)計(jì)的獨(dú)創(chuàng)性具有參考作用，其可能從不同角度對(duì)獨(dú)創(chuàng)性部分予以描述或者概括，但不一定包含對(duì)三維配置內(nèi)容的描述，在對(duì)權(quán)利人指明的部分進(jìn)行獨(dú)創(chuàng)性判斷時(shí)，應(yīng)結(jié)合權(quán)利人的獨(dú)創(chuàng)性說明，將權(quán)利人指明部分中含有的元件和線路的具體三維配置作為判斷對(duì)象。集成電路布圖設(shè)計(jì)從抽象概念到物理實(shí)現(xiàn)可分為不同的層級(jí)，通常包括邏輯設(shè)計(jì)、電路設(shè)計(jì)和布圖設(shè)計(jì)。每個(gè)層級(jí)的設(shè)計(jì)理念、設(shè)計(jì)原理、設(shè)計(jì)方式等均有所差異，故每個(gè)層級(jí)的常規(guī)設(shè)計(jì)亦有多種可能的選擇。集成電路布圖設(shè)計(jì)中公認(rèn)的常規(guī)設(shè)計(jì)，是指布圖設(shè)計(jì)創(chuàng)作者和集成電路制造者可以從布圖設(shè)計(jì)領(lǐng)域的教科書、技術(shù)詞典、技術(shù)手冊(cè)、通用標(biāo)準(zhǔn)、通用模塊等資料中獲取的設(shè)計(jì)，以及根據(jù)基本的設(shè)計(jì)原理容易想到的設(shè)計(jì)。故判斷一項(xiàng)布圖設(shè)計(jì)是否屬于集成電路布圖設(shè)計(jì)中公認(rèn)的常規(guī)設(shè)計(jì)，其依據(jù)的技術(shù)資料、應(yīng)用對(duì)象都應(yīng)當(dāng)限定為更為具體的布圖設(shè)計(jì)層面，而通常不是泛指更為抽象的邏輯設(shè)計(jì)或者電路設(shè)計(jì)層面。在布圖設(shè)計(jì)中，NMOS管和PMOS管基于有源區(qū)、源極接觸、漏極接觸不同的摻雜類型實(shí)現(xiàn)不同導(dǎo)電類型的溝道，并非單純的對(duì)稱關(guān)系或復(fù)制關(guān)系，其實(shí)現(xiàn)過程需制作不同摻雜區(qū)域，并導(dǎo)致工藝和布圖的差別，在面積和阻抗方面的差異較為明顯。即便在電路原理圖中NMOS管和PMOS管的替換容易想到，設(shè)計(jì)者在進(jìn)行布圖設(shè)計(jì)時(shí)依然不僅需要考慮整體電路的適配和連接關(guān)系的調(diào)整，還需考慮元器件的選用，例如不僅不同類型的晶體管，即使是同一類型的晶體管也具有多種不同的布圖表達(dá)形式。本案中，證據(jù)6與本布圖設(shè)計(jì)不僅在MOS管選擇上存在差異，其對(duì)應(yīng)布圖層數(shù)、與其他元件的連接關(guān)系均不同，本布圖設(shè)計(jì)的NMOS管相較于證據(jù)6的PMOS管多出了深阱層，NMOS管和PMOS管的源極、漏極、柵極連接關(guān)系各不相同，上述差異化的晶體管布圖設(shè)計(jì)即是綜合各種因素的體現(xiàn)，晶某公司的現(xiàn)有證據(jù)不足以證明將證據(jù)6中的PMOS管替換為本布圖設(shè)計(jì)的NMOS管是集成電路布圖設(shè)計(jì)領(lǐng)域中公認(rèn)的常規(guī)設(shè)計(jì)。綜上，被訴決定和一審判決的認(rèn)定并無不當(dāng)。
　　該案二審判決對(duì)集成電路布圖設(shè)計(jì)獨(dú)創(chuàng)性的認(rèn)定以及公認(rèn)的常規(guī)設(shè)計(jì)的判斷進(jìn)行了闡釋，對(duì)于進(jìn)一步厘清集成電路布圖設(shè)計(jì)撤銷行政糾紛的審理思路，特別是對(duì)于公認(rèn)的常規(guī)設(shè)計(jì)的認(rèn)定具有一定參考價(jià)值。